快速低功耗異步SRAM這些器件通常在低于25ns 的區域內運行。它們通常用于緩沖區和高速緩存應用程序。偉凌創芯提供的快速SRAM，以提供將快速異步 SRAM 的訪問時間與獨特的超低功耗睡眠模式相結合的設備。
 
IS61WV10248BLL-10TLI是一款容量8M，位寬為1Mb*8bit的高速率低功耗靜態隨機存儲器。采用高性能CMOS工藝制造。高度可靠的工藝水準再加創新的電路設計技術，造就了這款高性能、低功耗的器件。使用此款SRAM芯片的片選引腳和輸出使能引腳，可以簡單實現存儲器擴展。
 
我司英尚微介紹一款可用于替換IS61WV10248BLL-10TLI的國產SRAM芯片，國產SRAM芯片廠家偉凌創芯（EMI）EMI508NL16VM-55I采用EMI先進的全CMOS工藝技術制造。支持低數據保留電壓1.5V(Min.)，用于以低數據保留電流進行電池備份操作。容量為8Mbit，位寬512K*16,電壓2.7V~3.6V，支持工業溫度范圍和芯片級封裝，以實現系統設計的用戶靈活性。采用標準44TSOP2封裝形式。代理商英尚微電子提供免費樣品測試及技術支持。

安徽偉凌創芯（EMI）公司是專注存儲SRAM/PSRAM芯片、顯示驅動，接口轉換芯片設計、生產及銷售的塢無晶圓半導體公司。為行業客戶提供高品質、低成本，供貨持續穩定的自主知識產權的集成電路產品，產品領域涵蓋智能感知、網絡可視化、信息化、信息安全、大數據分析、智能語音、應用展現、特種通信和智能建筑等。

本文關鍵詞：SRAM芯片,IS61WV10248BLL

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