近日從中國半導(dǎo)體協(xié)會主辦、賽迪顧問承辦的“2017中國半導(dǎo)體市場年會暨第六屆中國集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新大會”得知，2017年有望成為國產(chǎn)存儲器大規(guī)模主流化發(fā)展元年。　
       3D NAND Flash、DRAM是智能手機(jī)必需的存儲芯片，中國企業(yè)一直沒加入這兩個主要市場的競爭行列。從2017中國半導(dǎo)體市場年會中得知，這一狀況有可能會改變。目前國內(nèi)存儲器芯片主要參與者有三個，分別是福建泉州的晉華存儲、湖北武漢的長江存儲以及紫光集團(tuán)。其中，長江存儲初期定位發(fā)展Flash 產(chǎn)品，后期將擴(kuò)展DRAM產(chǎn)品，晉華存儲項目定位DRAM產(chǎn)品。紫光集團(tuán)除直接入股長江存儲外，還將在不同地點(diǎn)布局DRAM、Flash產(chǎn)品。
      賽迪顧問人士透露，在兩年的準(zhǔn)備期之后，2017年上述項目將進(jìn)入實質(zhì)性項目建設(shè)階段。長江存儲是目前進(jìn)展最快的一方，長江存儲本身在Flash領(lǐng)域已經(jīng)有較豐富的經(jīng)驗，有望率先實現(xiàn)量產(chǎn)。晉華項目已經(jīng)開工建設(shè)，項目運(yùn)營由經(jīng)驗豐富的臺灣臺積電負(fù)責(zé)，技術(shù)則委托聯(lián)電進(jìn)行開發(fā)。紫光集團(tuán)目前在南京開工新建Flash產(chǎn)線。

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