英特爾介紹整合于其22FFL工藝的自旋轉移力矩(STT)-MRAM非揮發內存之關鍵特性，并指稱這是“首款基于FinFET的MRAM技術”。英特爾表示該技術目前已經“生產就緒”(production-ready)，但并沒透露有哪一家代工廠采用這一工藝；不過，根據多個消息來源顯示，該技術已經用于目前出貨中的產品了。

同時，三星(Samsung)介紹在其28nm FDSOI工藝制造的STT-MRAM。從可擴展性、形狀可調整以及磁可擴展性方面來看，STT-MRAM被視為是目前最佳的MRAM技術。

隨著業界持續邁向更小技術節點，DRAM和NAND閃存(flash)正面對著嚴苛的微縮挑戰，MRAM因而被視為有望取代這些內存芯片的備選獨立式組件。此外，這種非揮發性內存由于具備快速讀/寫時間、高耐受度以及強勁的保留能力，也被視為極具吸引力的嵌入式技，適用于取代Flash和嵌入式SRAM。嵌入式MRAM被視為特別適用于像物聯網(IoT)設備之類的應用。

電子顯微鏡影像顯示MTJ數組的橫截面，該數組嵌入于英特爾22nm FinFET邏輯工藝中的Metal 2和Metal 4之間

但隨著制造成本降低以及其他內存技術面對微縮挑戰，嵌入式MRAM越來越受青睞。重要的是，隨著新的工藝技術進展，SRAM內存單元的尺寸并不會隨著其后的先進工藝而縮小，因此，MRAM將會變得越來越有吸引力。

其嵌入式MRAM技術在攝氏200°溫度下可實現10年的數據保留能力，耐受度超過106個開關周期。該技術使用216×225 mm 1T-1R內存單元。

同時，三星稱其8Mb MRAM的耐受度為106個周期，同樣支持10年的保留能力。

Song表示，三星的技術一開始將先針對物聯網(IoT)應用，并將在提高可靠性之后，陸續導入汽車和工業應用。“我們已成功將該技術從實驗室轉移到晶圓廠，預計在不久的將來上市。”

而一直立足于MRAM市場領域的EVERSPIN卻已經早將STT-MRAM商業化，推出了并口，串口，DDR3等接口的MRAM產品，Everspin Technologies是一家開發和制造磁性RAM或磁阻隨機存取存儲器（MRAM）的公共半導體公司，其中包括獨立和嵌入式MRAM產品以及自旋扭矩MRAM（ST-MRAM）。Everspin Technologies提供Toggle MRAM，自旋轉矩MRAM，嵌入式MRAM，磁性傳感器以及航空和衛星電子系統，公司產品應用于工業，汽車，運輸和企業存儲市場。

本文關鍵詞：MRAM

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