靈動(dòng)微MM32SPIN系列是電機(jī)與電源相關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)的專用產(chǎn)品，MM32SPIN222C使用高性能的ARM®Cortex®-M0為內(nèi)核，工作頻率達(dá)72MHz，內(nèi)置FLASH高速存儲(chǔ)器，豐富的I/O端口和外設(shè)連接到外部總線。工作電壓為3V∼16V，工作溫度范圍包含-40?C∼+85?C常規(guī)型。多種省電工作模式保證低功耗應(yīng)用的要求。豐富的外設(shè)配置使MM32SPIN222C微控制器適合于醫(yī)療和手持設(shè)備、工業(yè)應(yīng)用等多種應(yīng)用場(chǎng)合。代理商英尚微電子提供樣品測(cè)試以及必要的FAE支持。
 
MM32SPIN222C產(chǎn)品特性
•內(nèi)核與系統(tǒng)
–32位ARM®Cortex®-M0處理器內(nèi)核
–工作頻率高達(dá)72MHz
–單指令周期32位硬件乘法器
–硬件除法器(32Bit)
•柵極驅(qū)動(dòng)器(GATE-DRIVER)
–工作電壓范圍：3V∼16V
–三相柵極驅(qū)動(dòng)器
–驅(qū)動(dòng)電流：最大1.5A(Continuous)
–UVLO保護(hù)
–Total DriverH+LRdson:0.75?
–集成5VLDO線性穩(wěn)壓器，支持輸出5V電壓給MCU和外部電路
•存儲(chǔ)器
–高達(dá)32K字節(jié)的閃存程序存儲(chǔ)器
–高達(dá)4K字節(jié)的SRAM
•時(shí)鐘、復(fù)位和電源管理
–2.0V∼5.5V供電
–上電/斷電復(fù)位(POR/PDR)、可編程電壓監(jiān)測(cè)器(PVD)
–外部2∼24MHz高速晶體振蕩器
–內(nèi)嵌經(jīng)出廠調(diào)校的48/72MHz高速振蕩器
•低功耗
–睡眠(sleep)、停機(jī)(stop)和待機(jī)模式(standby)
•1個(gè)12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器，1μS轉(zhuǎn)換時(shí)間(多達(dá)9個(gè)輸入通道)
–轉(zhuǎn)換范圍：0∼VDDA
–支持采樣時(shí)間和分辨率配置
–片上溫度傳感器
–片上電壓傳感器
•1個(gè)比較器
•1個(gè)5通道DMA控制器
–支持的外設(shè)：Timer、UART、I2C、SPI和ADC
•多達(dá)13個(gè)快速I(mǎi)/O端口：
–所有I/O口可以映像到16個(gè)外部中斷
–所有端口均可輸入輸出5V信號(hào)
注:VDD=5V
•調(diào)試模式
–串行調(diào)試接口(SWD)
•9個(gè)定時(shí)器
–1個(gè)16位4通道高級(jí)控制定時(shí)器，有4通道PWM輸出，以及死區(qū)生成和緊急停止功能
–1個(gè)16位定時(shí)器和1個(gè)32位定時(shí)器，有高達(dá)4個(gè)輸入捕獲/輸出比較，可用
于IR控制解碼
–2個(gè)16位定時(shí)器，有1個(gè)輸入捕獲/輸出比較和1組互補(bǔ)輸出，死區(qū)生成，緊急停止，調(diào)制器門(mén)電路用于IR控制
–1個(gè)16位定時(shí)器，有1個(gè)輸入捕獲/輸出比較
–2個(gè)看門(mén)狗定時(shí)器(IWDG和WWDG)
–1個(gè)Systick定時(shí)器：24位自減型計(jì)數(shù)器
•多達(dá)3個(gè)通信接口
–1個(gè)UART接口
–1個(gè)I2C接口
–1個(gè)SPI接口
•采用QFN32封裝

產(chǎn)品功能和外設(shè)配置

外圍接口		MM32SPIN222C
閃存-K字節(jié)		32
SRAM-K字節(jié)		4
定時(shí)器	通用(16 bit)	1
	通用(32 bit)	1
	基本	3
	高級(jí)	1
通訊接口	UART	1
	SPI	1
	12C	1
GPIO端口數(shù)		13
12位ADC	個(gè)數(shù)	1
	通道數(shù)(channels)	9
比較器		1
CPU頻率		72 MHz
工作電壓		3.0V~16V
封裝		QFN32

 
ARM的Cortex-M0內(nèi)核并內(nèi)嵌(Flash)和SRAM
ARM®的Cortex®-M0處理器是一個(gè)可配置的并具有多級(jí)流水線的32位精簡(jiǎn)指令集處理器，具有高性能和低功耗的特點(diǎn)。
內(nèi)置閃存存儲(chǔ)器
最大32K字節(jié)的內(nèi)置閃存存儲(chǔ)器，用于存放程序和數(shù)據(jù)。
內(nèi)置SRAM
最大4K字節(jié)的內(nèi)置SRAM
 
低功耗模式
產(chǎn)品支持低功耗模式，可以在要求低功耗、短啟動(dòng)時(shí)間和多種喚醒事件之間達(dá)到最佳的平衡。
睡眠模式
在睡眠模式，只有CPU停止，所有外設(shè)處于工作狀態(tài)并可在發(fā)生中斷/事件時(shí)喚醒CPU。
停機(jī)模式
在保持SRAM和寄存器內(nèi)容不丟失的情況下，停機(jī)模式可以達(dá)到最低的電能消耗。在停機(jī)模式下，HSI的振蕩器和HSE晶體振蕩器被關(guān)閉。可以通過(guò)任一配置成EXTI的信號(hào)把微控制器從停機(jī)模式中喚醒，EXTI信號(hào)可以是16個(gè)外部I/O口之一、PVD的輸出的喚醒信號(hào)。
待機(jī)模式
待機(jī)模式可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的最低功耗。該模式是在CPU深睡眠模式時(shí)關(guān)閉電壓調(diào)節(jié)器。內(nèi)部所有的1.5V部分的供電區(qū)域被斷開(kāi)。HSI和HSE振蕩器也都關(guān)閉,可以通過(guò)WKUP引腳的上升沿、NRST引腳的外部復(fù)位、IWDG復(fù)位喚醒或者看門(mén)狗定時(shí)器喚醒并復(fù)位。SRAM和寄存器的內(nèi)容將被丟失。


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