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STT-RAM取代DRAM內存

2020-08-07 09:42:32

自旋轉移扭矩隨機存取存儲器(STT-RAM)技術希望用其下一代MRAM取代DRAM,最終取代NAND。它結合了DRAM的成本優勢,SRAM的快速讀寫性能以及閃存的非易失性。據說STT-RAM還解決了第一代現場交換MRAM的主要缺點。

STT-RAM作為通用的可擴展存儲器具有巨大的潛在市場。它可以取代嵌入式SRAM和45nm的閃存,32nm的DRAM,并最終取代NAND。STT-RAM是一項很有前途的技術,從經濟角度考慮,STT-RAM將取代DRAM還是NAND。

多年來,FeRAM,MRAM,相變,RRAM和其他技術的開發人員分別聲稱,它們將成為最終的通用存儲器,并取代當今的存儲器。但是許多下一代存儲器類型推向市場的時間很晚,還沒有達到高潮。并且今天的存儲器繼續擴展,從而消除了對下一代存儲器類型的需求。

任何這些新技術(例如–FRAM,MRAM和PCM)都有很多機會來替代現有技術。他們所要做的就是降低成本,使其低于已建立的內存。聽起來很簡單,但實際上卻非常困難,這一挑戰使這些技術中的任何一種都無法達到臨界質量。

MRAM是一種利用電子自旋的磁性來提供非易失性的存儲器。該技術具有無限的耐用性。STT-RAM是第二代磁性RAM技術,可以解決常規MRAM結構帶來的一些問題。現在正在開發的大多數MRAM都是通過施加由流過隧道磁阻(TMR)元件附近的導線的電流產生的磁場來改變磁化強度來寫入數據的。這可以實現快速操作。

飛思卡爾半導體公司的子公司Everspin將其16 Mbit MRAM定位為SRAM替換,數據保留和相關市場。在工業及相關的嵌入式應用中,Everspin希望取代電池供電的SRAM或相關的分立解決方案,此舉威脅著賽普拉斯,ISSI,Maxim,意法半導體,TI等公司。

STT方法使用自旋極化電流來切換磁性位,這項技術消耗更少的功率并增強了可伸縮性。STT-RAM通過對齊流經TMR元件的電子的自旋方向來寫入數據。


本文關鍵詞: MRAM   STT-RAM

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