從技術(shù)角度來(lái)看，需要進(jìn)行這樣的利害衡量：在低功耗SRAM中，使用特殊柵極誘導(dǎo)漏極泄漏(GIDL)控制技術(shù)來(lái)控制待機(jī)電流，用來(lái)抑制待機(jī)功耗。這些技術(shù)涉及在上拉路徑或下拉路徑中增加額外的晶體管，這樣存取延遲就會(huì)加重，存取時(shí)間也會(huì)隨之增加。在高速SRAM中，存取時(shí)間具有最高優(yōu)先級(jí)，因此無(wú)法使用這種技術(shù)。此外，該晶體管也可加大尺寸，以增加電荷流。尺寸的增大可減少傳播延遲，但于此同時(shí)會(huì)增加功耗。

　　
從應(yīng)用需求角度來(lái)看，該權(quán)衡夯實(shí)了兩種不同的應(yīng)用基礎(chǔ)。快速SRAM在作為高速處理器的直接接口高速緩存或高速暫存擴(kuò)展存儲(chǔ)器時(shí)工作良好。低功耗異步SRAM可用于功耗必須非常低的系統(tǒng)臨時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。因此，快速SRAM通常應(yīng)用在服務(wù)器和航空設(shè)備等高性能系統(tǒng)上，而低功耗SRAM則主要應(yīng)用于POS終端以及PLC等電池供電設(shè)備。

　　
隨著技術(shù)的不斷高速發(fā)展，越來(lái)越多的有線設(shè)備陸續(xù)推出了電池供電移動(dòng)版本。在過(guò)去幾年中，我們見(jiàn)證了無(wú)線應(yīng)用的大量推出，其帶來(lái)了無(wú)線設(shè)備的長(zhǎng)足發(fā)展。物聯(lián)網(wǎng)(IoT)促進(jìn)了新一代手持設(shè)備、通信系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備、消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品以及工業(yè)控制器的發(fā)展，它們的出現(xiàn)正在徹底改變各種設(shè)備的工作與通信方式。在這些移動(dòng)設(shè)備中，快速SRAM和低功耗SRAM都不能完全滿足所有需求。快速SRAM流耗大，很快就會(huì)耗盡電池，而低功耗SRAM則存取速度不足，不能滿足這些復(fù)雜設(shè)備的需求。

　
對(duì)于現(xiàn)代電子設(shè)備的所有重要組件而言，降低功耗并縮小封裝是目前面臨的兩個(gè)最大的難題。對(duì)于異步SRAM來(lái)說(shuō)，這種挑戰(zhàn)就是在小型封裝中創(chuàng)建功耗顯著降低的快速SRAM.雖然很多SRAM制造商都已經(jīng)開(kāi)始提供采用少數(shù)引腳及裸片尺寸封裝的產(chǎn)品，但并沒(méi)有滿足市場(chǎng)對(duì)高性能低功耗存儲(chǔ)器的需求。

本文關(guān)鍵詞：異步SRAM   快速異步SRAM 低功耗SRAM    相關(guān)文章：南亞科10nm DRAM提上日程