因競爭對(duì)手臺(tái)積電、三星將在2018年進(jìn)入7納米先進(jìn)制程，因此格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）今年不斷地放出自己關(guān)于7納米制程的信息，用來引起業(yè)界的關(guān)注。近日在2017 年國際電子元件會(huì)議（IDEM 2017）上，格羅方德（GlobalFoundries）公布了有關(guān)7 納米制程的詳細(xì)信息，能效比14納米工藝降低40%。

據(jù)報(bào)導(dǎo)，晶圓代工大廠格羅方德（GlobalFoundries）公布了有關(guān)其 7 納米制程的詳細(xì)資訊。與當(dāng)今用于IBM Power 服務(wù)器芯片、AMD 處理器，以及其他產(chǎn)品的 14 納米制程產(chǎn)品相比，7 納米制程在密度、性能與效率方面都明顯優(yōu)于14 納米制程。

 

格羅方德最新一代的 3D 或 FinFET 電晶體，在 7 納米制程下具有 30 納米的鰭間距（導(dǎo)電通道之間的間距）、56 納米的柵極間距、以及 40 納米的最小金屬間距。此外，7 納米制程可生產(chǎn)的最小高密度 SRAM 單元尺寸為 0.0269 平方微米。以上公布的這些間距尺寸，與 14 納米制程相比進(jìn)步非常大。對(duì)此，格羅方德方面表示，其調(diào)整了鰭片形狀與輪廓以獲取最佳性能。不過，格羅方德卻拒絕提供有關(guān)該翅片寬度與高度的測(cè)量資料。

 

而根據(jù)格羅方德所公布的這些尺寸，不僅與臺(tái)積電的 7 納米制程相似，與英特爾宣稱跟其他晶圓代工廠 7 納米制程同等級(jí)的 10 納米制程來說也非常類似。另一家晶圓代工大廠三星，則將于 2018 年初在國際固態(tài)電路研討會(huì)（ISSCC 2018）上公布其直接采用 EUV 技術(shù)的 7 納米制程的詳細(xì)資訊。

 

格羅方德預(yù)計(jì) 7 納米制程能夠達(dá)成 2.8 倍的電晶體密度提升，并提高 40% 的性能表現(xiàn)，亦或者是在同等性能條件下將功耗降低 55%。另外在高性能版本上，還能夠額外提供 10% 的性能提升。

 

本文關(guān)鍵詞：SRAM

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